Le nombre de points d'interrogation
fabricant:
Uniseme
Description:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
FET Feature:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou sup
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
570 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.6W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC655
Introduction
N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Montage de surface SuperSOTTM-6
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MOQ: