FDS4685
fabricant:
Uniseme
Description:
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
8.2A (ventres)
@ qty:
0
Type de FET:
P-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
27nC @ 5V
Produit de fabrication:
un demi
Quantité minimum:
2500
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
PowerTrench®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SOIC
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
27 mOhm @ 8,2 A, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
2.5W (ventres)
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0.154" ; , largeur de 3.90mm)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Introduction
Le FDS4685, de onsemi, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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