Pour les appareils de surveillance des risques
fabricant:
Uniseme
Description:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
±30V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1.6A (Tc)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
15.5nC @ 10V
Produit de fabrication:
un demi
Quantité minimum:
2500
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
QFET®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à commande numérique
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-PAK
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9 Ohm @ 800 mA, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
2.5W (merci), 50W (comité technique)
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
5V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Les appareils électriques
Introduction
Le FQD2N100TM,de onsemi,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Envoyez le RFQ
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