FQD4P40TM
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistor MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
±30V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
2.7A (comité technique)
@ qty:
0
Type de FET:
P-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
Le système de régulation de l'énergie
Produit de fabrication:
un demi
Quantité minimum:
2500
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
QFET®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
680pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-PAK
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.1 Ohm @ 1.35A, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
2.5W (merci), 50W (comité technique)
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
5V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
400V
Introduction
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