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FDG6301N

fabricant:
Uniseme
Description:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
220 mA
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Le code de conduite est le code SOT-323-6.
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
25 V
emballage:
Le rouleau
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
2e chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
8 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
4 Ohms
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le FDG6301N,de onsemi,est MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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