FDS8984
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SOIC
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimum:
2500
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
635pF @ 15V
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0.154" ; , largeur de 3.90mm)
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
7A
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23 mOhm @ 7A, 10V
Puissance maximale:
1.6W
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.5V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
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