Pour les appareils de type "A"
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistor MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
120A (TC)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
210 nC à 10 V
Produit de fabrication:
un demi
Quantité minimum:
800
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
PowerTrench®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
15265pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
² PAK DE D
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.7 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
375W (TC)
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4.5V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Introduction
Le FDB047N10, de onsemi, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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