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Transistor MOSFET
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 600V Q-FET avancée par canal N
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail |
MOSFET 200V QFET à canal P
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Fairchild Semi-conducteur
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FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
MOSFET 30V 2,7A 2,3W 190 mohms @ 10V
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Vishay Semi-conducteurs
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifié
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Siliconix / Vishay
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Pour les appareils à commande numérique |
MOSFET 650V/34A ultra jonction classe X2
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IXYS
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SI4488DY-T1-E3 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
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Infineon Technologies
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SI5515CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A / 4A N et P-CH MOSFET
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Vishay Semi-conducteurs
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SI7119DN-T1-E3 |
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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IPP65R190CFD |
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil,
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Infineon Technologies
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Infineon Technologies
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SPA20N60C3 |
MOSFET N-Ch 600V 20,7A TO220FP-3 CoolMOS C3 Pour les appareils électroniques à haute tension
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Infineon Technologies
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IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4,6mOhm 152nC Qg
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FDP090N10 |
MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail |
MOSFET 400V QFET à chaîne N
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Fairchild Semi-conducteur
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STD3PK50Z |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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STMicroélectronique
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BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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Diodes incorporées
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BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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Diodes incorporées
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2N7000TA |
MOSFET 60V N-canal Sm Sig
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro d'immatriculation du véhicule |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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IXYS
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Le code de l'équipage est le code de l'équipage |
MOSFET -90.0 Ampères -200V 0.044 Rds
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IXYS
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Pour les appareils à commande numérique |
MOSFET 230A 200V
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IXYS
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un dispositif de ventilation.
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Infineon Technologies
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SI4848DY-T1-GE3 |
MOSFET 150V 3,7A 3,0W 85mohm @ 10V
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Vishay Semi-conducteurs
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SI4134DY-T1-GE3 |
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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IRF100B201 |
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4,2 mOhm, 170 nC Qg Pour les appareils électroniques, la tension est de
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IR / Infineon
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SI7336ADP-T1-E3 |
Le système est équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
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Vishay Semi-conducteurs
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Les données de l'échantillon sont fournies par les autorités compétentes. |
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé.
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Infineon Technologies
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SI1902DL-T1-E3 |
MOSFET 20V 0,70A
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Vishay Semi-conducteurs
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IRFP460APBF |
MOSFET N-Chan 500V 20 ampères
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Vishay Semi-conducteurs
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Les produits de l'annexe I sont classés dans la catégorie suivante: |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
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Fairchild Semi-conducteur
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Le système de détection de l'urine |
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre de points de contrôle |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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IRF540PBF |
MOSFET N-Chan 100V 28 ampères
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Vishay Semi-conducteurs
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FDS4465 |
MOSFET SO-8
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail |
MOSFET 30V N-CH commutateur rapide PwrTrenCH MOSFET
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Fairchild Semi-conducteur
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BSC010N04LS |
Transistor MOSFET N-ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Infineon Technologies
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité. |
Le système d'échange de données doit être conforme aux exigences de la présente directive.
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Uniseme
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FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A à 220
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Uniseme
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IRFS7530TRLPBF |
Transistor MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
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Infineon Technologies
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Pour les véhicules à moteur à combustion |
MOSFET 32 Ampères 500 V 0,15 Rds
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IXYS
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TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3,7A 600V 80W 540pF 2,0 Ohm
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Toshiba
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DMTH6005LK3Q-13 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Diodes incorporées
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IPP023N10N5 |
Le système d'alimentation est équipé d'un système de ventilation.
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Infineon Technologies
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin d'évaluation. |
MOSFET CANAL N 80V PowerPAK SO-8
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Siliconix / Vishay
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BSC016N06NS |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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SI7615ADN-T1-GE3 |
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
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Vishay Semi-conducteurs
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NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
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Uniseme
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