FQPF2N60C
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
MOSFET 600V Q-FET avancée par canal N
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
2 A
Mode de montage:
À travers le trou
Nom commercial:
QFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TO-220FP-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
600 V ou plus
emballage:
Tuyaux
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
30 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
4,7 ohms
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
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