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Semi-conducteurs discrets
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 mohm
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Vishay Semi-conducteurs
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SPW20N60C3 |
Le système de détection de l'eau est utilisé pour la détection de l'eau.
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FDP33N25 |
MOSFET 250 V MOSFET à canal N
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'émissions de CO2 |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détermination de l'urine.
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Infineon Technologies
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IPP60R099P6 |
MOSFET prix/performance à haute puissance
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés |
MOSFET 900V QFET à chaîne N
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Fairchild Semi-conducteur
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FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V niveau logique avec Zener
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Fairchild Semi-conducteur
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IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 ampères
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Vishay Semi-conducteurs
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DMHC3025LSD-13 |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2 de ty
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Diodes incorporées
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Pour les appareils à commande numérique |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de classe X
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IXYS
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Le code de l'équipage est le code de l'équipage |
MOSFET 82 Ampères 250V 0,035 Rds
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IXYS
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Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre de l'expédition. |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la valeur de l'appareil.
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Infineon Technologies
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Le nombre de personnes concernées par les mesures de sécurité |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET avant la série C
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Fairchild Semi-conducteur
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2N7002BKS,115 |
MOSFET à double canal N 60V 300mA
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Nexpéria
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Diodes incorporées
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Le PMXB360ENEAZ |
MOSFET 80 V, MOSFET à tranchée N-canal
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Nexpéria
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Le nombre d'heures d'essai est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifié
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Siliconix / Vishay
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Si3552DV-T1-GE3 |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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Le numéro de série est le numéro FQPF47P06YDTU |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Fairchild Semi-conducteur
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IRFR320TRPBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 ampères
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Vishay Semi-conducteurs
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Les produits de la catégorie 1 |
Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage sont publiés dans le rapport a
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Nexpéria
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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Infineon Technologies
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Le produit doit être présent dans les conditions suivantes: |
MOSFET -26,0 ampères -200V 0,170 Rds
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IXYS
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Le numéro d'immatriculation du véhicule est le numéro d'immatriculation du véhicule. |
MOSFET 200 V QFET à canal N
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro de série FDMS8888 |
MOSFET PwrTrench à canal N 30V 21A 9,5 mOhm
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'équipements utilisés |
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
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Fairchild Semi-conducteur
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FQP13N10 |
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre de points de contrôle doit être le suivant: |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Fairchild Semi-conducteur
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FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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SI7846DP-T1-E3 |
MOSFET 150V 6,7A 5,2 W
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Vishay Semi-conducteurs
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'équipement.
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Infineon Technologies
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IPB60R380C6 |
Le débit de l'appareil est de 600 V 10.6A
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Infineon Technologies
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Le montant de l'aide est fixé à la valeur de l'aide accordée. |
MOSFET SO-8
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Fairchild Semi-conducteur
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SI7232DN-T1-GE3 |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à 20 V.
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Vishay Semi-conducteurs
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
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Vishay Semi-conducteurs
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Le nombre de points d'intervention |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être utilisé.
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Uniseme
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DMP4025LSD-13 |
Transistor MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
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Diodes incorporées
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IRF9358TRPBF |
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
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Infineon Technologies
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NDS9945 |
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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Uniseme
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FDMA3023PZ |
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
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Uniseme
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FDMA6023PZT |
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
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Uniseme
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IRF7319TRPBF |
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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Infineon Technologies
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DMP3056LSD-13 |
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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Diodes incorporées
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FDS6898A |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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Uniseme
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FDMS3620S |
Transistor MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
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Uniseme
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FDS6975 |
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
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Uniseme
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DMN65D8LDW-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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Diodes incorporées
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DMC2038LVT-7 |
Transistor MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
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Diodes incorporées
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