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Semi-conducteurs
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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MTFC64GAZAQHD-AIT |
IC FLASH 512GBIT MMC
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Micron Technology Inc. est une société
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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MTFC32GASAQHD-AAT |
IC FLASH 256GBIT EMMC 153VFBGA
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Micron Technology Inc. est une société
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé à 0,8%. |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement. |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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MT4A512M16TB-062E:R |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
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Micron Technology Inc. est une société
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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MT4A4A4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B |
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
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Micron Technology Inc. est une société
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 conformément à l'annexe II. |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne. |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes à l'accord. |
IC SRAM 8MBIT PARALLÈLE 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes à l'article 5 du règlement (CE) no 1224/2009. |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante: |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne. |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Pour les appareils à commande numérique: |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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MT4A256M16LY-062E:F |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
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Micron Technology Inc. est une société
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Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: |
IC SRAM 8MBIT PARALLÈLE 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Le système de traitement des données est un système de traitement des données.
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le produit doit être présenté dans un récipient de qualité supérieure. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail. |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
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Électronique Winbond
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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MT4A512M8SA-062E:F |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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Micron Technology Inc. est une société
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Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur. |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne. |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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MT4A512M8SA-075:F |
DDR4 4G 512MX8 FBGA
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Micron Technology Inc. est une société
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
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ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
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