MT4A4A4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B
fabricant:
Micron Technology Inc. est une société
Description:
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Category:
Integrated Circuits (ICs)
Memory
Memory
Memory Size:
512Gbit
Product Status:
Active
Type de montage:
Monture de surface
Package:
Bulk
Série:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Interface de mémoire:
Parallèlement
Write Cycle Time - Word, Page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de points de contrôle doit être supérieur ou égal à:
Memory Type:
Non-Volatile
Mfr:
Micron Technology Inc.
Clock Frequency:
333 MHz
Voltage - Supply:
2.5V ~ 3.6V
Package / Case:
132-VBGA
Memory Organization:
64G x 8
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technology:
FLASH - NAND (TLC)
Base Product Number:
MT29F512G08
Memory Format:
FLASH
Introduction
Flash - NAND (TLC) mémoire IC 512Gbit parallèle 333 MHz 132-VBGA (12x18)
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MTFC32GAZAQHD-AIT
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MT4A2G8SA-062E:F
IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les règles en vigueur en ce qui concerne la protection des données.
UFS 2T
MT4A2G16TBB-062E:F
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 96FBGA
MTFC32GAZAQHD-AAT
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
MTFC32GAZAQHD-IT
IC FLASH 256GBIT EMMC 153VFBGA
MTFC64GAZAQHD-AIT
IC FLASH 512GBIT MMC
MTFC32GASAQHD-AAT
IC FLASH 256GBIT EMMC 153VFBGA
MT4A512M16TB-062E:R
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT4A256M16LY-062E:F
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT4A512M8SA-062E:F
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT4A512M8SA-075:F
DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT4A1G8SA-062E:R
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT2F2G08ABAEAWP:E
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT4F4G01ABBFDWB-IT:F
IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
MTFC32GAPALBH-IT
IC FLASH 256GBIT MMC 153TFBGA
MTFC32GAZAQHD-WT
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
MT29F16G08ABACAWP-AAT:C
IC FLASH 16GBIT ONFI 48TSOP I
MT4département d'État
IC FLASH 512MBIT SPI/OCT 24TPBGA
MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT40A4G4SA-062E : F
IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT29F4G08ABAFAWP-IT : F
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT4A1G16TB-062E:F
IC DRAM 16GBIT PAR 96FBGA
MT4département d'exploitation
IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
MT4département d'exploitation
IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
| Image | partie # | Description | |
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR : E |
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
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Le nombre total d'équipements utilisés dans le cadre de l'équipement est fixé à: |
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USSD 512G
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MTFC32GAZAQHD-AIT |
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
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MT4A2G8SA-062E:F |
IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
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Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les règles en vigueur en ce qui concerne la protection des données. |
UFS 2T
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MT4A2G16TBB-062E:F |
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 96FBGA
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MTFC32GAZAQHD-AAT |
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
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MTFC32GAZAQHD-IT |
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MTFC64GAZAQHD-AIT |
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MTFC32GASAQHD-AAT |
IC FLASH 256GBIT EMMC 153VFBGA
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MT4A512M16TB-062E:R |
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MT4A512M8SA-062E:F |
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MT4A512M8SA-075:F |
DDR4 4G 512MX8 FBGA
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IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
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MTFC32GAPALBH-IT |
IC FLASH 256GBIT MMC 153TFBGA
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MTFC32GAZAQHD-WT |
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
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MT29F16G08ABACAWP-AAT:C |
IC FLASH 16GBIT ONFI 48TSOP I
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MT4département d'État |
IC FLASH 512MBIT SPI/OCT 24TPBGA
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MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT4A1G16TB-062E:F |
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MT4département d'exploitation |
IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
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MT4département d'exploitation |
IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
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