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Vishay Semi-conducteurs

Vishay Semi-conducteurs
Image partie # Description fabricant Courant RFQ
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

MOSFET N-canal 20V 3,9A
Si1022R-T1-GE3

Si1022R-T1-GE3

MOSFET 60V 330mA 250mW 1,25 ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3

Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à:
Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation.

Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation.

Le système d'alarme doit être équipé d'un dispositif de détection de l'alarme.
SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3

Le système d'alimentation doit être équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

MOSFET N-Chan 500V 36 ampères
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

MOSFET 60V 6,5A 3,7W
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à:
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Le système de détection de l'urine doit être équipé d'un système de détection de l'urine.
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
SQM40031EL_GE3

SQM40031EL_GE3

Le transistor MOSFET P ch -40V Vds AEC-Q101 a qualifié
SQ1440EH-T1_GE3

SQ1440EH-T1_GE3

MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

MOSFET 40V 60A 46W 5,8 mohm @ 10V
SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil,
SI1539CDL-T1-GE3

SI1539CDL-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 0,7 Ampères 0,34 Watts
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à 30 V.
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

MOSFET 30V 2,7A 2,3W 190 mohms @ 10V
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

MOSFET 20V 4A / 4A N et P-CH MOSFET
SI7119DN-T1-E3

SI7119DN-T1-E3

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
SI4848DY-T1-GE3

SI4848DY-T1-GE3

MOSFET 150V 3,7A 3,0W 85mohm @ 10V
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3

Le système est équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
SI1902DL-T1-E3

SI1902DL-T1-E3

MOSFET 20V 0,70A
IRFP460APBF

IRFP460APBF

MOSFET N-Chan 500V 20 ampères
IRF540PBF

IRF540PBF

MOSFET N-Chan 100V 28 ampères
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Le débit d'électricité est calculé en fonction de la fréquence d'électricité utilisée.
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3

MOSFET 60 Volt 8,5 Ampère 3,3 W
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET 20 volts 3,9 ampères 1,4 watts
IRFP064PBF

IRFP064PBF

MOSFET N-Chan 60V 70 Ampère
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la puissance de l'appareil
IRF840APBF

IRF840APBF

MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampère
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

MOSFET 30V 2,7A 1,8W 88 mohms @ 10V
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

MOSFET 30V 16A 52W 1,8 mohm @ 10V
SI1016X-T1-GE3

SI1016X-T1-GE3

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détermination des gaz à effe
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de l'émissio
IRF520 PBF

IRF520 PBF

MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampère
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

MOSFET 30V 10A 2,5 W
SI1869DH-T1-E3

SI1869DH-T1-E3

Le système de commande de charge de MOSFET est de 1,8 V.
Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement

Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement

Le système de détection de l'émission de gaz doit être équipé d'un système de détection de l'émissio
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

MOSFET 20V 0,7/-0.5
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

MOSFET 40 volts 9,2 ampères 3,1 watts
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Les informations fournies par les autorités compétentes doivent être conformes aux exigences du présent règlement.

Les informations fournies par les autorités compétentes doivent être conformes aux exigences du présent règlement.

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détermination de l'urine.
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