Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement
fabricant:
Vishay Semi-conducteurs
Description:
Le système de détection de l'émission de gaz doit être équipé d'un système de détection de l'émissio
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nom commercial:
TrenchFET
Emballage / boîtier:
Pour les autres produits:
emballage:
Le rouleau
Produit de fabrication:
Vishay Semi-conducteurs
Introduction
Le SIS862DN-T1-GE3,de Vishay Semiconductors,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation.
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Image | partie # | Description | |
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SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
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Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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SIR462DP-T1-GE3 |
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
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