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Le numéro de série est le numéro de série.

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
FET Feature:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
6.5V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
225 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 13A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
16000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
PLUS247™-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
26A (Tc)
Power Dissipation (Max):
960W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFX26
Introduction
N-canal 1200 V 26A (Tc) 960W (Tc) à travers le trou PLUS247TM-3
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