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Pour l'utilisation de l'aéronef:

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
95 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 13A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Product Status:
Obsolete
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
26A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH26
Introduction
N-canal 500 V 26A (Tc) 300W (Tc) à travers le trou TO-247AD (IXFH)
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