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Pour les véhicules à moteur à combustion

fabricant:
IXYS
Description:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
545 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
450mOhm @ 500mA, 20V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
20V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
13200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Linear
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Plus de 264 TM
Mfr:
IXYS
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
30A (comité technique)
Power Dissipation (Max):
800W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
IXTB30
Introduction
N-canal 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) à travers le trou PLUS264TM
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