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IXFX34N80

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
270 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
240mOhm @ 17A, 10V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Package:
Tube
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
PLUS247™-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
34A (Tc)
Power Dissipation (Max):
560W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFX34
Introduction
N-canal 800 V 34A (Tc) 560W (Tc) à travers le trou PLUS247TM-3
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