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Le numéro de série IXFK26N90

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
240 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
300mOhm @ 13A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
10800 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-264AA (IXFK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
26A (Tc)
Power Dissipation (Max):
560W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFK26
Introduction
N-canal 900 V 26A (Tc) 560W (Tc) à travers le trou TO-264AA (IXFK)
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