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Pour les véhicules à moteur à combustion

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
143 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (maximum):
±30V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
8245 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Série:
Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH80
Introduction
N-canal 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) à travers le trou TO-247 (IXTH)
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