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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 et dans la catégorie 2.

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
104 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.1mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
5080 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Série:
Fossé
Supplier Device Package:
TO-3P
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Power Dissipation (Max):
360W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTQ130
Introduction
N-canal 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) à travers le trou TO-3P
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