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Pour les véhicules à moteur électrique

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 3mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
375 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
135mOhm @ 28A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
56A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1000W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN56
Introduction
N-Channel 900 V 56A (Tc) 1000W (Tc) Monture de châssis SOT-227B
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