Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par le système de mesure.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 12A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (maximum):
±30V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
2870 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Power Dissipation (Max):
280W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFB20
Introduction
N-canal 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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