Le montant de la subvention est calculé à partir de l'impôt sur le revenu.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Vgs (Max):
±20V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
7 000 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SUM70101
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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