Le nombre d'heures d'attente est calculé en fonction de la fréquence d'attente.
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 10.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5100 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
32A (Tc)
Power Dissipation (Max):
100W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQJ469
Introduction
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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