Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
72mOhm @ 4.5A, 15V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
15V, 10V
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±16V
Statut du produit:
Actif
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
805 pF @ 20 V
Type de montage:
Monture de surface
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4447
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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