Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
16.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
132mOhm @ 3.8A, 10V
Type de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
515 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
27.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7113
Introduction
Le débit de l'électricité est calculé en fonction de l'intensité du courant.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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