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Le système d'échantillonnage doit être conforme à l'annexe II.

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 3mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
500 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 55A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
Type de montage:
À travers le trou
Series:
Linear L2™
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de la catégorie 1
Mfr:
IXYS
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
110A (comité technique)
Power Dissipation (Max):
960W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
IXTK110
Introduction
N-canal 200 V 110A (Tc) 960W (Tc) à travers le trou TO-264 (IXTK)
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