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Pour les appareils de surveillance de la sécurité

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
42 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1350 pF @ 25 V
Type de montage:
Monture de surface
Series:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
200W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
IXTA3
Introduction
N-canal 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Monture de surface TO-263AA
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