Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7Pour les appareils à induction, la valeur de l'électricité doit être égale ou supérieure à:
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
+20V, -16V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1000 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIRA18
Introduction
N-canal 30 V 33A (Tc) 3,3 W (Ta), 14,7 W (Tc) Montage de surface PowerPAK® SO-8
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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