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Les résultats de l'analyse

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 50µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
331 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Série:
Les espèces d'oiseaux
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
50W (comité technique)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numéro du produit de base:
Les résultats de l'étude
Introduction
N-canal 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) à travers le trou TO-220-3
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