IRF640PBF: les émissions de gaz à effet de serre
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
70 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 11A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1300 PF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Série:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
125W (comité technique)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF640
Introduction
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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