Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.05 Ohm @ 1A, 10V
FET Type:
P-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour l'électricité
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
666 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7119
Introduction
Le moteur est équipé d'un moteur de type P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Produits connexes

Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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SIR872ADP-T1-RE3
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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