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IXTH50P10

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
140 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55mOhm @ 25A, 10V
Type de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4350 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH50
Introduction
P-canal 100 V 50A (Tc) 300W (Tc) à travers le trou TO-247 (IXTH)
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