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Pour les appareils de traitement de l'air

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
160 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1Ohm @ 5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Statut du produit:
Actif
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4700 pF @ 25 V
Type de montage:
À travers le trou
Series:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
10A (comité technique)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH10
Introduction
P-canal 600 V 10A (Tc) 300W (Tc) à travers le trou TO-247 (IXTH)
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