Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-261-4, TO-261AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2Ohm @ 470mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Vgs (Max):
±20V
Statut du produit:
Actif
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
140 pF @ 25 V
Type de montage:
Monture de surface
Series:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-223
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
790mA (Tc)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFL214
Introduction
N-Channel 250 V 790mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Monture de surface SOT-223
Produits connexes
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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