Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé en fonction de la fréquence de production.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Supplier Device Package:
6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
375mOhm @ 1.5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.14W (Ta)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.2A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI3440
Introduction
N-Channel 150 V 1.2A (Ta) 1.14W (Ta) Monture de surface 6-TSOP
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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