Si le véhicule est équipé d'un système de freinage, il doit être équipé d'un système de freinage.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 3.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
600 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
4.7A (comité technique)
Power Dissipation (Max):
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
SI9407
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
Produits connexes
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Si le produit est présent dans la zone de production, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Le numéro d'enregistrement de l'IRFS9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,1, la valeur de l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,3.
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans la revue SIRENE.
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone géographique.
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
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Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
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