Le nombre d'émissions de CO2
fabricant:
Semi-conducteurs Rohm
Description:
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-4
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
104 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (maximum):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1526 pF @ 500 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247-4L
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
70A (Tc)
Power Dissipation (Max):
262W
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
Introduction
N-canal 650 V 70A (Tc) 262W à travers le trou TO-247-4L
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| Image | partie # | Description | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Le système de surveillance de la sécurité des véhicules ne doit pas être utilisé. |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
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Le numéro de série RSR025N05TL |
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Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle. |
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle. |
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Le nombre de points d'intervention |
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R6042JNZ4C13 |
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