Le nombre de points d'intervention
fabricant:
Semi-conducteurs Rohm
Description:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9.2 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 3.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
780 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT6 (SC-95)
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RSQ035
Introduction
P-Channel 30 V 3,5 A (Ta) 1,25 W (Ta) Monture de surface TSMT6 (SC-95)
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Le système de surveillance de la sécurité des véhicules ne doit pas être utilisé.
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RUM003N02T2L
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MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Le numéro de série RSR025N05TL
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Image | partie # | Description | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Le système de surveillance de la sécurité des véhicules ne doit pas être utilisé. |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
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RD3P130SPTL1 |
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Le numéro de série RSR025N05TL |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle. |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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