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R6076ENZ4C13

fabricant:
Semi-conducteurs Rohm
Description:
Le système de détection de la pollution par les gaz n'est pas compatible avec le système de détectio
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
260 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 44.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247
Mfr:
Rohm Semiconductor
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
Le nombre de sièges est le suivant:
Power Dissipation (Max):
735W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
R6076
Introduction
N-canal 600 V 76A (Tc) 735W (Tc) à travers le trou TO-247
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Courant:
MOQ: