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Le système d'aéroglisseur doit être équipé d'un système d'aéroglisseur.

fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
FET Feature:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
30 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
300mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
2N7002
Introduction
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.

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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

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Le numéro de série IRFP21N60LPBF

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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

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