Le nombre total d'équipements utilisés est de:
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
60mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1710 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18.3A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numéro du produit de base:
Le SUD19
Introduction
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande de la même puissance que le moteur de commande de la même puissance.
Produits connexes

Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

Si le produit est présent dans la zone de production, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3

Le numéro d'enregistrement de l'IRFS9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263

SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263

Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,1, la valeur de l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,3.
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

Les résultats de l'enquête sont publiés dans la revue SIRENE.
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone géographique.
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Les données relatives à l'utilisation du système de surveillance de l'Union
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

Le nombre d'heures de travail est calculé sur la base de l'échantillon.
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: