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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
270mOhm @ 11A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2630 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Polar
Supplier Device Package:
TO-3P
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
22A (Tc)
Power Dissipation (Max):
350W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTQ22
Introduction
N-canal 500 V 22A (Tc) 350W (Tc) à travers le trou TO-3P
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