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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
190 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
Type de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Produits connexes
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.

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MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.

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MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF

Le numéro de série IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.

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MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.

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MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3

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AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Si le produit est présent dans la zone de production, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

Si le produit est présent dans la zone de production, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

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MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Le numéro d'enregistrement de l'IRFS9N60ATRL

Le numéro d'enregistrement de l'IRFS9N60ATRL

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.

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MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3

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MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,1, la valeur de l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,3.

Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,1, la valeur de l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,3.

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:

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MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

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MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans la revue SIRENE.

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MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone géographique.

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MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3

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MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

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MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Les données relatives à l'utilisation du système de surveillance de l'Union

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MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Le nombre d'heures de travail est calculé sur la base de l'échantillon.

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MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.

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MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.

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MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

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MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Image partie # Description
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.

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SIR872ADP-T1-RE3

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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.

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MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

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MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF

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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

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MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.

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MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3

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AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Si le produit est présent dans la zone de production, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

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MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
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Le numéro d'enregistrement de l'IRFS9N60ATRL

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SQM100P10-19L_GE3

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MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,1, la valeur de l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,3.

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Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:

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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

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