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Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.

fabricant:
Semi-conducteurs Rohm
Description:
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
104 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1526 pF @ 500 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
70A (Tc)
Power Dissipation (Max):
262W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
Introduction
N-canal 650 V 70A (Tc) 262W (Tc) à travers le trou TO-247N
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MOQ: