SI2305CDS-T1-GE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 4.4A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
8 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
960 pF @ 4 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2305
Introduction
P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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