SIR681DP-T1-RE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Type de FET:
P-canal
Caractéristique de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.6V @ 250µA
Série:
TrenchFET® génération IV
Vgs (maximum):
± 20 V
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
105 OR @ 10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.2mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4850 pF @ 40 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
80 V
Dissipation de puissance (maximum):
6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® SO-8
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Les résultats de l'analyse
Introduction
Le moteur est équipé d'un moteur à induction.
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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