Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Le système de détection de l'urine doit être conforme à l'annexe II.
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou sup
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
350 pF @ 30 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
6-TSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
4.1A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'indicateur doit être égale ou supérieure à:
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Les produits à base de plantes
Introduction
N-Channel 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Monture de surface 6-TSOP
Produits connexes
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Si le produit est présent dans la zone de production, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Le numéro d'enregistrement de l'IRFS9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,1, la valeur de l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,3.
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans la revue SIRENE.
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone géographique.
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Les données relatives à l'utilisation du système de surveillance de l'Union
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Le nombre d'heures de travail est calculé sur la base de l'échantillon.
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
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