Pour les véhicules à moteur électrique
fabricant:
IXYS
Description:
Transistors IGBT 72 Ampères 600 V 1,35 Rds
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
75 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
D'une puissance de 540 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,35V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXGH72N60A3, de IXYS, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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